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pecvd設備構成和功能
一、設備構成
pecvd設備主要有以下幾個部分組成:1.真空系統(泵組部分),2.淀積部分,3.供氣系統,4.射頻系統。
1、真空系統
真空系統主要由一系列泵和波紋管及閥門等組成,主要作用是:維持淀積腔室真空狀態,保持腔室壓力穩定,及時抽走反應生成的顆粒(硅粉等)。
2、淀積部分
•此部分主要包括沉積爐和工件架,主要作用是淀積所需膜質
•沉積溫度:200-230℃ 沉積壓力:0.5-1Torr(50-133Pa)
3、cvd系統的供氣系統
•主要有管道和電磁閥組成,主要作用是提供成膜所需要的特氣及吹掃腔室的氣體。
•反應氣體:Ar、CH4、B2H6、H2、SiH4、GeH4 、PH3
•清潔氣體:NF3
•吹掃氣體:N2
•質量流量計量程:
•TMB (三甲基硼C3H9B )、 PH3 、GeH4 : 4000scm
•Ar、CH4、 SiH4:15000scm
•H2:30000scm
4.射頻系統
pecvd設備的主要由RF射頻電源柜組成,18分立電源控制18個電極,可對單個電極進行調節。
二、工作原理
2.沉積工作原理
在沉積腔室一定的低真空狀態下,通入反應氣體,待氣流穩定后,打開射頻電源對反應氣體進行電離,進而生成所需要的膜質。
三、日常維護
每日操作人員需對沉積爐、泵、循環水、特氣、RF電源,加熱等系統點檢。
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